Imperium tempus Thyristor (Typus Alloying)

Descriptio:

Thyristor, etiam notus ut Silicon Rectifier Imperium (SCR), est summus potentiae machinae semiconductor tribus PN structurarum constans.Thyristor in terminis faciendis non solum conductivity unidirectional habet, sed etiam pluris habet temperantiam quam elementum rectificatorem pii, quod solum duo status conductionis et off-statis, magnas potentias cum parva potestate regere, ampliandi potestatem usque ad centenos vel. millies.Celerrimus reactionem est, interdum in Micro-seconds vertere.Operatio non-contactus, nullae scintillae, non strepitus, cum magnae efficaciae et minoris sumptus.Ergo, praesertim in alta potestate copiarum systematis, thyristor late usus est in circuitu rectifier, static bypass switch, contactu libero output switch et alios circuitus.

Thyristor fabricandi vexillum et processus technologiarum RUNAU Electronics ab USA introductus est ab annis 1980, ut auctor thyristor fabricandi in Sinis, turma technica RUNAU incisurae scientiam et experientiam amplam fabricandi per plus quam XXX annos acquisiverat.In basic processus fabricandi traditi, talentum technicae artis RUNAU Electronics technicae artis-statis in fabricandis thyristoris notis fructuum Europaearum fabricandis technicis effectis, qualitas et effectus multum emendantur, magis magnum obtinet effectum in applicatione potentiarum electronicarum. agros, et pluris sociis creatos.

Introductio:

1. Chip

Chiprum thyristor a RUNAU Electronics fabricatum est, technologiae mixturae admixtionis adhibitae.Silicon et molybdaenum laganum ad mixtionem purum aluminii (99.999%) sub magno vacuo ac caliditas environment.Administratio notarum notarum est factor praecipuus ad qualitatem thyristoris afficiendam.Scientes quomodo RUNAU Electronics praeter ad commissuram altitudinem, planitiam superficiei, cavitatis mixturae plenae sollertiae diffusionis, centrum portae, anuli circuli exemplar applicatae sunt, ut operatio thyristoris certa et alta efficax operatio efficere possit. curare optimum perficientur.

2. Encapsulation

Per strictam moderationem planitatis et parallelismi lagani molybdaeni et sarcinae externae, chip et laganum molybdaenum cum sarcina externa arcte et perfecte integrabuntur.Talis resistentiam surgendi currentis optimize et alti ambitus brevissimi currentis.Mensuratio electronicorum evaporationum technologiae adhibita est ad movendum spissum aluminium in superficie laganum silicon, et ruthenium stratum in superficie molybdaeni augebit lassitudines thermas valde resistendi, opus vitae tempus thyristoris insigniter augebitur.

Specificatio technica

1. Phase thyristoris moderata cum mixturae speciei chip ab RUNAU Electronics factorum, range of I_TAVex 300A ad 6000A et V *_DRM/V_RRMab 800V ad 4400V.
2. I_GT, V_GTet *_Hsunt valores probativi ad 25℃, nisi aliter dictum est, omnes alii parametri sunt valores probativi sub T ._jm;
3. I²t = I'²F SM×tw/2, tw= Sinusoidalis undae dimidium currentis basi latitudinis.Ad 50Hz, I²t=0.005I²FSM (A*²S);
4. Ad 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms) ×1.066, T_j=T_j;ego²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parameter: